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    射頻電纜的衰減是哪些因素造成的

    更新時(shí)間:2020-04-20  |  點(diǎn)擊率:2224
      射頻電纜的衰減是哪些因素造成的
     
      射頻電纜的衰減與導體,介質(zhì),結構尺寸,工藝水準和工作的頻率都有關(guān)
     
      1 :在50MHz以下衰減常數偏大或超差,而高頻有余量,常常是鋁塑復合帶中的鋁基太薄所致,在頻率比較低的時(shí)候,鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當,造成了αR過(guò)大。根據理論計算,f=50MHz時(shí)的鋁層透射深度為12.2µm。一般采取12~15µm的鋁基可以解決這個(gè)問(wèn)題。(當然,如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當加厚)
     
      2 :選擇PE在使用頻率內的tanδ較大,如達到x×10-3級別,則會(huì )造成絕緣結構的tanδ增大,從而使電纜的衰減增大。所以要注意2個(gè)問(wèn)題,一是tanδ要小(如在400MHz時(shí)的tanδ為2~4×10-4,越小越好),一是工藝性能(如熔融指數為0.5~10)應適應與絕緣的擠出,不同的熔融指數有不同的溫度。
     
      3 :外導體編織一般60%-80%為宜,偏大對降低衰減效果不是很明顯。
     
      4 :絕緣生產(chǎn)用的模具設計和加工也是關(guān)鍵,應該保證產(chǎn)品達到較理想的均勻結構,使等效介點(diǎn)常數達到設計要求。
     
      5 :物理發(fā)泡PE其衰減在低頻是合格,而高頻(如超過(guò)800MHz)時(shí)超差,大都與介質(zhì)損耗角正切值和等效介點(diǎn)常數偏大有關(guān)系,或者與外導體編織密度過(guò)小,內導體外直徑偏小有關(guān)系。另外,衰減常數還取決與發(fā)泡度的大小。在阻抗和回波允許的范圍內適當提高發(fā)泡度(可以通過(guò)增加發(fā)泡度,提高阻抗,降低衰減。)對提高電纜的衰減常數有幫助,同時(shí)還可以降低成本。
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